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VSMT200N04VB1

VSMT200N04VB1

Category：Middle&Low-Voltage MOSFET
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Release time：2025-12-17 16:59:55

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Product description

封装型号规格书极性印字最大耗散功率PD(W) 最大集电极电流Ic(mA) 集电极-基极电压VCBO(V) 饱和压降VCE(sat)(V) 集电极/基极电流IC/IB(mA) 最大工作频率fT(MHz) 放大系数hFE(1) 放大系数hFE(2) 放大系数hFE(3) 放大系数hFE(4)

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url：https://www.x-semi.cn/product/3621.html

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